Le rôle de la zone de dépôt par plasma dans le procédé de fabrication technologique CMOS est la réalisation des contacts et des interconnexions (couches métallique) entre les différentes parties du circuit en cours de fabrication, ainsi que la réalisation des couches diélectriques intermétalliques dans le cas de plusieurs niveaux de métal, ou pour la protection (couches de passivation).

Équipements disponibles dans la zone de dépôt 

Le pulvérisateur DC : MRC 643

Cet équipement est utilisé pour le dépôt de couches minces métalliques par PVD (une méthode de dépôt physique), Parmi ces couches on trouve la couche de titane (Ti), la couche de Nitrure de Titane (TiN) et la couche d’aluminium (AlCu ; 0,5% Cu) 

Équipement de dépôt : TRIKON DETLA 201

Cet équipement est utilisé pour le dépôt de couches minces diélectriques par PECVD (une méthode de dépôt chimique)

Les deux couches déposées par cette technique sont :

  • la couche d’oxyde de silicium (SiO2)
  • et la couche de nitrure de silicium (Si3N4)

Prestations possibles dans la zone de dépôt

Equipement MRC 643 TRIKON DETLA 201
Couches à déposer Ti TiN AlCu SiO2 Si3N4

Épaisseurs Déposé 

(nm)

Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max
*
20
**
100
*
100
**
300
**
250
**
1200
**
100
*
1000
**
100
*
1000

* Épaisseurs recommandées dans le procédé CMOS 1µm.

** Épaisseurs déposées pour l’optimisation des recettes. 
Selon les spécifications des deux équipements rien n’est mentionné sur les limites des épaisseurs de dépôts à déposer

Préstation dépôt par plasma

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