Les équipements de la zone de gravure humide et nettoyage sont divisés en équipement de rotation (spin) et de bain :

Equipement de gravure d’oxyde de silicium

Cet équipement est destiné à la gravure de l’oxyde de silicium, par la solution d’acide fluorhydrique (HF) tamponné par le fluorure d’ammonium (NH4F), dite BOE (Buffered Oxide Etch). Le chargement de la solution chimique se fait manuellement.
Il est fabriqué en Polypropylène naturel, la tuyauterie en Polyvinylidène fluoride (PVDF), qui présente une bonne résistance aux acides.

Equipement de gravure de nitrure de silicium

Cet équipement est destiné à la gravure de nitrure de silicium (Si3N4), par la solution d’acide phosphorique 80% (H3PO4) à 160-165°C. Le chargement de la solution chimique se fait manuellement.
La conception générale de cet équipement est quasiment similaire à celui destiné à la gravure d’oxyde de silicium.
Il est fabriqué en Polypropylène naturel, la tuyauterie en Polyvinylidène fluoride (PVDF), qui présente une bonne résistance aux acides.

SPRAY SOLVENT TOOL (SST)

C’est un équipement de chargement manuel conçu pour l’utilisation des solvants inflammables pour l’enlèvement des résines photosensibles, gravure des polymères, des polyamides et des contaminants organiques.
Il est fabriqué en acier inoxydable, matière résistante aux attaques des solvants organiques.

SPRAY ACID TOOL (SAT)

Il est conçu pour la réalisation des procédés de cleaning, stripping & etching :

  • Piranha (H2SO4 : H2O2)
  • SC1 (NH4OH : H2O2 : H2O)
  • SC2 (HCl : H2O2 : H2O)
  • DHF (HF : H2O).

Spin Rinser Dryer (SRD)

Cet équipement est dédié au rinçage final et séchage des wafers après exécution d’un procédé quelconque.
Le rinçage des wafers par de l’eau ultra pure et le séchage par de l’azote chaud qui évapore l’eau et l’humidité de la surface.

Les produits chimiques utilisés

Les produits chimiques utilisés sont :

  • HF à 21°C avec et sans contact direct
  • NH4F à 21 °C en contact direct
  • H3PO4 à 160 °C en contact direct
  • H2SO4 à 90°C pas de contact direct
  • NH4OH à 60°C pas de contact direct
  • HCl à 60°C pas de contact direct
  • H2O2 à 60°C, et 90°C pas de contact direct
  • EKC solution commerciale à 70°C pas de contact direct
  • IPA

Les équipements de protection individuelle 

Dans le cas de bain comme le cas de gravure d’oxyde et de nitrure de silicium, les EPI sont obligatoire, vu le contact direct avec la solution chimique, et sont, le tablier, les lunettes, le masque et les gants résistants aux produits chimiques.

Gravure humide et nettoyage

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