La gravure par plasma dite sèche, utilise des agents de gravure en phase gazeuse dans un plasma à basse pression. Elle permet la gravure directionnelle sans utiliser l’orientation cristalline du substrat ou la couche à graver.

Équipements disponibles dans la zone de gravure sèche

La zone de gravure sèche se compose de quatre (4) équipements :

Équipement de gravure de métal (Al, Ti, TiN, …etc.)

  • Matériaux autorisés : Al, Al2O3, TiO2, poly Si, Nb, Cr, W et une variété de nitrures peuvent être gravées en utilisant la chimie Cl
  • Matériaux interdits : Matériaux non compatibles IC silicium

Équipement de gravure de poly (poly-silicium, Nitrure de silicium Si3N4)

  • Matériaux autorisés : Nitrure de silicium, poly-silicium, TiW, …etc.
  • Matériaux interdits : Matériaux non compatibles IC silicium

Équipement de gravure d’oxyde (SiO2, SiOx)

  • Matériaux autorisés : silicium, quartz
  • Matériaux interdits : Matériaux non compatibles IC silicium

Équipement de gravure de résines

  • Matériaux autorisés : Matériaux organiques
  • Matériaux interdits : Matériaux non compatibles IC silicium

Prestations possibles dans la zone de gravure sèche

Les équipements sont capable de graver les matériaux réagissant avec les gaz fluoré (hexafluorure de soufre (SF6), tétra-fluorure de carbone (CF4)), chloré (Clore Cl2, trichlorure de bore (BCl3)) ou bromure d’hydrogène (HBr).