Le service de procédé a pour mission de développer et d’assurer les étapes de production de la licence CMOS 1µm et des composants MEMS, plus précisément, les étapes suivantes :

  • La réalisation de procédé de dépôt physique et chimique
  • La gravure humide et le nettoyage chimique
  • La gravure sèche par plasma
  • La réalisation de procédé de lithographie
  • L’implantation ionique
  • L’inspection et la caractérisation des étapes de réalisation
  • La découpe et l’encapsulation des puces électronique

Liste des équipements mis en place pour la réalisation et caractérisation :

  1. Photolithographie (I-line UV stepper 6”+Dual Coater & Developer Track).
  2. Gravure humide et nettoyage (SAT, SST, etc.).
  3. Gravure sèche par plasma (Métal, PolySi , Oxyde, Nitrure).
  4. Implantation ionique en Phosphore (dopage N), Bore (dopage P) et Arsenic (dopage N).
  5. Diffusion et dépôt (Silice, nitrure, poly, Oxydation) avec des fours horizontaux destinés pour la réalisation des procédés à pression atmosphérique et à basse pression.
  6. Dépôt Métal PVD (Aluminium, titane, TiN).
  7. Dépôt de films minces PECVD (oxyde & nitrure).
  8. Métrologie, Inspection & Test.
  9. Découpe & encapsulation.