Fours de Diffusion

• Oxydation (Sèche et humide)
• Recuit (350- 1150C°)
• Dépôt LPCVD (Poly-Si, Si3N4, TEOS, BPSG)
• Dépôt CVD
• Dopage par diffusion (Type N)
• Diffusion

Pulvérisateur Cathodique (Suputering)

Le pulvérisateur DC (MRC 643) peut déposer des couches de métal type :

• Aluminium (AlCu)
• Titane (Ti)
• Nitrure de Titane (TiN)

Dépôt Chimique en Phase Vapeur assisté par Plasma (PECVD)

Le TRIKON DETLA 201 est configuré pour déposer des couches minces de :

• Oxyde de Silicium
• Nitrure de Silicium
• Oxyde-Nitrure de Silicium (SiOXNX)

Implanteur Ionique

• Implantation de dopants : type P et Type N avec les espèces : B+, P+, As+
• Amorphisation des structures cristallines Dose : de 2x1012 à 5x1015 ions/cm2

Gravure Sèche par Plasma

Les équipements sont capables de graver les matériaux réagissant avec les gaz fluoré et chloré

• Gravure de métal (Al, Al2O3, TiW, Ti, TiN, TiO2, Nb, Cr, W…etc.)
• Gravure de poly-silicium, Nitrure de silicium
• Gravure d’oxyde (SiO2, SiOx, quartz)

Resist Asher

• Gravure et nettoyage de résines (ashing & Descum).
• Gravure de matériaux organiques.

Bains de Gravure Humide et Nettoyage

• Bain de gravure d’oxyde de silicium par d’acide fluorhydrique (HF) tamponné (BOE).
• Bain de gravure de nitrure de silicium (Si3N4).

Spray Processor (SST)

Procédés de nettoyage et de gravure par solvants :

• élimination de la résine photosensible.
• Nettoyage de contaminants organiques.
• Gravure des Polymères
• Gravure des Polyamides

Spray Processor (SAT)

Procédés de nettoyage et de gravure :

• Piranha (H2SO4: H2O2).
• RCA 1 & RCA2.
• HF dilué (HF: H2O).

Coat & Develop Track

• Dépôt et étalement de la résine photosensible (spin coating).
• GDéveloppement de la résine.

i-line Stepper

• Alignement et Exposition de la résine photosensible avec le stepper UV/i-line 365 μm
• Reproduction de motifs.
• Dimension critique 1µm

Masque Aligner

• Alignement et Exposition de la résine photosensible avec l’aligneur SUSS MicroTec MA/BA6
• Possibilité d’exposition en double face
• Dimension critique 1µm

HMDS Oven

• Déshydrations
• Promotion d’adhésion

Découpe et Empaquetage des Wafers

• Découpage de wafers
• Empaquetage des circuits intégrés
• Connexions filaire entre la puce et le package (wire bonding)

Spectrophotomètre IR à Transformée de Fourier (FTIR)

• Mesure du spectre FTIR
• Diamètre max 150mm
• Epaisseur max 5mm

Résistivimètre à 4 pointes

Appareil de mesure de la résistance carrée avec la technique des 4 pointes (Diamètre max 150mm).

Ellipsomètre

L’ellipsométrie est une technique de caractérisation optique non-intrusive permettant de déterminer :

• l'épaisseur des couches minces.
• les propriétés optiques (indices de réfraction).

Profilomètre à stylet

Cet appareil est utilisé pour mesurer les profils de surface afin de déterminer :

• La hauteur d'une "marche" par exemple la profondeur de gravure.
• Rugosité de surface.
• Distance entre deux reliefs… etc.

Filmetrics

Mesure optique d'épaisseur des couches minces

Microscope Électronique à Balayage (MEB)

Le MEB peut être utilisé pour examiner les détails de surface de matériaux solides. Les surfaces internes peuvent être exposées par sectionnement.

Stress tool

Mesure des contraintes résiduelles dans les films minces.