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Services

Procédé Microélectronique

Le service de procédé a pour mission de développer et d’assurer les étapes de production de la licence CMOS 1µm et des composants MEMS, plus précisément, les étapes suivantes :
  • Réalisation de procédés de dépôt physique et chimique.
    • La zone de diffusion comprend trois fours horizontaux destinés pour la réalisation des procédés à pression atmosphérique et à base pression tels que l’oxydation, la diffusion, le recuit, le dépôt de nitrure de silicium, le dépôt du poly-Si et le dépôt du TEOS et BPSG …
    • Le rôle de la zone de dépôt par plasma dans le procédé de fabrication technologique CMOS est la réalisation des contacts et des interconnexions (couches métallique) entre les différentes parties du circuit en cours de fabrication.
  • Gravure humide et nettoyage chimique.
    • Cette zone est destinée pour la gravure par voie chimique des oxydes et nitrures de silicium (SiO2, Si3N4) par des acides forts.
  • Gravure sèche par plasma.
    • La gravure par plasma dite sèche, utilise des agents de gravure en phase gazeuse dans un plasma à basse pression. Elle permet la gravure directionnelle sans utiliser l’orientation cristalline du substrat ou la couche à graver.
  • Réalisation de procédés de lithographie.
    • Toutes les étapes du procédé photolithographique (déshydratation et dépôt d’HMDS, dépôt et étalement de résine, exposition aux UV, développement de résine, et l’inspection…) s’effectuent dans cette zone.
  • Implantation ionique.
    • Un implanteur ionique à courant moyen est utilisé pour introduire des dopants dans une plaquette.
  • Inspection et caractérisation des étapes de réalisation.
    • La zone de caractérisation comporte les différents équipements de caractérisation et un équipement de marquage laser. Les équipements de caractérisation sont utilisés lors de contrôles non destructifs en cours de fabrication ou lors de caractérisations avancées de procédés, la centrale dispose d’une large palette d’équipements de caractérisation. Nos nombreux outils de caractérisation permettent de sonder des propriétés optiques, électriques et mécaniques.
  • Découpage et encapsulation de puces électroniques.
    • Dans cette zone le découpage et empaquetage des wafers sont réalisés.
  • Photolithographie (I-line UV stepper 6”+Dual Coater & Developer Track).
  • Gravure humide et nettoyage (SAT, SST, etc.).
  • Gravure sèche par plasma (Métal, PolySi , Oxyde, Nitrure).
  • Implantation ionique en Phosphore (dopage N), Bore (dopage P) et Arsenic (dopage N).
  • Diffusion et dépôt (Silice, nitrure, poly, Oxydation) avec des fours horizontaux destinés pour la réalisation des procédés à pression atmosphérique et à basse pression.
  • Dépôt Métal PVD (Aluminium, titane, TiN).
  • Dépôt de films minces PECVD (oxyde & nitrure).
  • Métrologie, Inspection & Test.
  • Découpe & encapsulation.

La plateforme technologique de micro-fabrication lance de nombreuses prestations.